Dialog半導體已将其導電橋接電阻RAM非易失性存儲器(NVM)技術授權給Globalfoundries，但(dàn)生産計(jì)劃要等到(dào)2022年。

Globalfoundries公司計(jì)劃在2022年将CBRAM作(zuò)爲其22FDX絕緣體上(shàng)矽22nm制造工(gōng)藝的嵌入式NVM選項，并計(jì)劃将該方案擴展到(dào)其他(tā)制程。

Facebook人工(gōng)智能(néng)科學家Yann LeCun表示， ReRAM技術是嵌入式人工(gōng)智能(néng)的一項關鍵技術。CBRAM可在惡劣的環境下(xià)工(gōng)作(zuò)，可用(yòng)在物聯網、5G連接、人工(gōng)智能(néng)、消費者、醫(yī)療以及某些(xiē)工(gōng)業和(hé)汽車應用(yòng)上(shàng)。

内存隻需要在邏輯過程中添加一個掩碼層，但(dàn)目前還不清楚爲什(shén)麽這(zhè)個技術需要如此長的時(shí)間才能(néng)投入生産。Dialog聲稱，由于它是一種“後端”技術，因此能(néng)夠相對(duì)容易地集成到(dào)技術節點中。

CBRAM由Adesto技術公司開(kāi)發，其原理(lǐ)是基于銅離子通過非晶二氧化矽的運動，以形成交叉點的絲狀橋接開(kāi)關。此技術于2020年9月通過對(duì)Adesto的收購轉給了(le)Dialog。

Adesto成立于2006年，他(tā)們計(jì)劃開(kāi)發一種基于Axon Technologies Corp.許可的非易失性存儲器。Axon Technologies是亞利桑那州立大(dà)學(Arizona State University)的附屬公司。該公司是衆多競争對(duì)手中将ReRAM推向市場的公司之一，盡管基于該技術的産品銷售有些(xiē)困難，也(yě)使用(yòng)了(le)其他(tā)更傳統的NVM技術。Dialog半導體負責企業發展副總裁Mark Tyndall表示:“該協議(yì)不僅爲行業帶來(lái)了(le)優良的技術，還爲Dialog下(xià)一代系統芯片采用(yòng)前沿的CBRAM技術創造了(le)機會(huì)。”

通過IP定制，客戶可以通過修改CBRAM單元來(lái)優化SoC設計(jì)，甚至爲新的應用(yòng)程序調整單元。

來(lái)源：中電網